寧波達新半導體有限公司是由海歸博士創(chuàng)立的一家中外合資的國家級高新技術企業(yè)，公司從事IGBT、MOSFET、FRD等功率半導體芯片與器件的設計、制造和銷售，并提供相關的應用解決方案。公司注冊資本1960萬元，投資方包括知名的投資機構和汽車行業(yè)合作方。 達新半導體團隊擁有多年海內(nèi)外功率半導體芯片及模塊研發(fā)和制造經(jīng)驗，在國內(nèi)IGBT行業(yè)擁有較高的知名度。

       公司總部位于浙江省余姚市，建有國內(nèi)領先的測試應用評估中心，中心包括芯片評估、器件測試、應用分析及可靠性等實驗室。公司建有一條制造手段先進IGBT模塊產(chǎn)線，在上海有芯片設計中心，負責芯片設計和制造管理。公司具備芯片設計、晶圓制造、模塊制造及應用的完整IGBT產(chǎn)業(yè)鏈，在IGBT芯片開發(fā)，模塊制造和產(chǎn)品應用具有自己獨特優(yōu)勢。

       公司在8寸及6寸晶圓制造平臺成功開發(fā)600V-3300V IGBT芯片產(chǎn)品，芯片電流等級涵蓋10A～200A。采用自主IGBT芯片，推出了系列化的滿足工業(yè)應用、消費電子、新能源的IGBT模塊，模塊電壓涵蓋600V～1700V，電流等級涵蓋10A ～ 800A。公司IGBT產(chǎn)品可廣泛應用于白色家電、逆變焊機、工業(yè)變頻、感應加熱、大功率電源、UPS、新能源汽車、太陽能/風力發(fā)電、SVG等領域。

       針對IGBT產(chǎn)品仍然為國外壟斷的局面， IGBT公司秉承“創(chuàng)新、品質、誠信、共贏”的理念，共謀產(chǎn)業(yè)鏈、尤其是應用端的合作，實現(xiàn)合作互惠共贏。